製程推進、GDDR6 與 64 層 3D NAND Flash,Micron 更新 2017 年度產品規劃
首页 > 观测 > 数码科技    作者:剧毒术士马文   2017年2月4日 18:14 星期六   0条评论    
时间:2017-2-4 18:14  
在 Micron 2017 年度的分析師會議上,這家公司給出一些方向與目標。

沒有任何新產品公佈,但 2017 年 Micron 這家公司的產品規劃可能有了一些大致方向,同時也包含下一代 GPU 用記憶體的規劃。

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2016 年,Micron 與 Intel 的合資企業成為第二家供應 3D NAND Flash 的公司。當時 32 層的第一代 3D NAND Flash 已經在不少產品上導入,現在開始進入 64 層 3D NAND Flash。然而,現階段 64 層 3D NAND Flash 仍處在 Sampling 階段,預計要到 2017 年才會進入大量生產階段。

512Gb 的 64 層 3D TLC NAND Flash 是 Micron 的重點之一,但 Micron 也會提供 256Gb 的 3D TLC NAND Flash。

有趣的是,256Gb TLC NAND Flash 的尺寸為 59mm²,或是 4.3 Gb/mm²;相較於其他競爭品牌的 64 層 3D NAND Flash,面積要小了 25% 左右。

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此外,Micron 也在 QLC NAND Flash 部分有所投入,但他們並沒有對此揭露太多資訊。

記憶體部分,主要是 GPU 用的 GDDR6 以及製程的推進。

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Micron 預期會在 2017 年開始使用 16nm(1Xnm)生產 GDDR5 記憶體,但確切時間不詳,另外 1Ynm 與 1Znm 的製程也在進行中,其中 1Ynm 會率先導入,時間點在 2017 下半年。對於 Samsung Electronics 和 SK Hynix 在 HBM 記憶體的佈局,Micron 似乎沒有任何回應,但這家公司在 GDDR5X 與 GDDR6 有著相當深的投入。

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預計我們可以在 2017 年底或是 2018 年初見到 Micron 在 GDDR6 領域的訊息。

3D XPoint 部分也相當低調,沒有任何新資訊或是產品揭露。


via:benchlife

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