Samsung 三星开始量产512GB UFS NAND闪存:64层 V-NAND,读取860MB/s
首页 > 观测 > 数码科技    作者:剧毒术士马文   2017年12月6日 23:50 星期三   热度:77°   1条评论    
时间:2017-12-6 23:50   热度:77° 

周二三星宣布开始了512GB容量UFS NAND闪存芯片的初步量产,该芯片基于三星的64层 512Gb V-NAND。新的UFS封装内置三星最新的控制器,将被包括智能手机在内的各类设备所采用。【各家下代旗舰机可能会有512GB版本



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这款512GB eUFS封装大小为11.5x13mm,是三星首款采用了64层512Gb TLC V-NAND的解决方案,新的控制器改善了闪存映射表的管理。

还采用了两条全双工HS-Gear3总线,每条传输速率5.8GT/s。兼容当前三星、高通和其他支持UFS2.1规范的SOC。


性能方面,连续读取性能最高860MB/s,连续写入速度最高255MB/s,与2016年发布的256GB eUFS相当。

随机读写IOPS为42K/40K,也与前代采用48层256Gb V-NAND的芯片相近。


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由于性能、良率和其他各种原因,上一代的64GB/128GB/256GB UFS2.1还会继续生产。

同时三星还宣布计划提升64层256/512Gb V-NAND的产量,以满足移动平台、固态硬盘及其他产品的需求。


via:https://www.anandtech.com/show/12120/samsung-starts-production-of-512-gb-ufs-chips

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256 GB的旗舰不多,Note 8, iPhone ?
估计Note 9会有512 GB

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