4 + 4 核心處理器,Qualcomm Snapdragon 835 與 Kryo 200 架構
首页 > 观测 > 数码科技    作者:剧毒术士马文   2016年11月22日 23:23 星期二   0条评论    
时间:2016-11-22 23:23  
10nm FinFET 製程,Qualcomm Snapdragon 835 確定後…

Qualcomm 公布 10nm FinFET 製程,並導入 Quick Charge 4 快充技術的 Qualcomm Snapdragon 835 後,其規格更成為市場矚目的焦點。對於 Qualcomm Snapdragon 835,目前可確定的就是 10nm FinFET 製程、Quick Charge 4 與 Qualcomm Snapdragon X16 LTE Modem。

不過,稍早有一些關於 Qualcomm Snapdragon 835 的資訊被揭露。

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如果資訊沒有錯誤的話,Qualcomm Snapdragon 835 將使用 Kryo 200 架構。至於什麼是 Kryo 200 架構,目前推測它是 Kryo 架構的升級版,那會有什麼特色,目前不知道;GPU 部分則是 Adreno 540,一般相信是 Adreno 530 的升級版,在架構上並不會有太大變化。

核心數量部分將升級至 4 + 4 配置。

關於處理器核心數量提升,其實市場早前就有出現類似說詞,但後來的消息大部分均認為會維持在 4 核心配置,因此 4 + 4 核心的聲音就慢慢弱掉。

此外,記憶體部分也將開始支援 LPDDR4X 規範,其中 SK Hynix 與 Samsung Electronics 都已經準備好。

Qualcomm Snapdragon 835 外,其實代號 MSM8976 Plus 的 Qualcomm Snapdragon 660 更引我們關注。

Samsung Electronics 14nm LPP 製程的 Qualcomm Snapdragon 660 可能使用 Kryo 架構,但也有可能是 ARM Cortex-A73 搭配 ARM Cortex-A53,目前對於這款 SoC 的資訊仍舊太少,就暫且相信它會如此。雖然處理器架構相當先進,但 Modem 部分維持目前 Snapdragon 600 系列主流的 Snapdragon X10 LTE Modem。

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記憶體部分支援到 LPDDR4,並可以搭配高速的 UFS 2.1,就帳面上的規格來說,Qualcomm Snapdragon 660 與 Huawei Kirin 960 有點相似。

10nm FinFET 製程的 Qualcomm Snapdragon 835 沒意外的話,首發將交給 Samsung GALAXY S8,而中國品牌最快也要到 3 月份左右才會有裝置登場;14nm FinFET LPP 的 Qualcomm Snapdragon 660 最快會在第二季開始推出裝置,目前來看,一線的中國品牌將會選擇這款 SoC。
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