GlobalFoundries正式宣布7nm FinFET工艺
首页 > 观测 > 数码科技    作者:剧毒术士马文   2016年9月17日 12:57 星期六   0条评论    
时间:2016-9-17 12:57  
代工厂GlobalFoundries今天官方宣布了7nm FinFET半导体工艺规划,面向数据中心、网络、高级移动处理器、深度学习等领域。GF目前的主力性能工艺是14nm FinFET,但此前就披露下一步将跳过行业流行的10nm而直奔7nm,因为GF认为10nm和之前的20nm一样只是过渡工艺,7nm才是下一个高性能节点。


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AMD也已经和GF首次签署了为期五年的晶圆供应协议,将共同进军7nm。


GF表示,7nm FinFET工艺将使用行业标准的FinFET晶体管架构和光刻技术,因此可在很大程度上重新利用现有14nm FinFET工艺的工具和资源,大大加速投产进度,同时还会兼容EUV极紫外光刻技术,为未来发展做好储备。


GF 14nm FinFET工艺目前正在美国纽约州的Fab 8工厂内量产,并将为7nm FinFET工艺的开发和生产,继续投资几十亿美元。


GF宣称,7nm FinFET工艺相比有目前的16/14nm FinFET,电路集成密度可以增加超过1倍,性能则可以提升30%。


AMD自然将是GF 7nm FinFET工艺的主要客户,据称新处理器代号“Starship”,最多48核心96线程,热设计功耗180W。


AMD CEO苏姿丰博士也特别表示:“GF 7nm FinFET等顶级技术是我们计算、图形产品长期路线图的重要组成部分,可支撑下一代计算体验。我们期待与GF继续紧密合作,延续其在14nm上的坚定执行力和技术基础,从而在未来几年内实现高性能低功耗的7nm技术。”


作为GF的技术来源之一,IBM也对其勇敢进军7nm表达了大力支持。


GF 7nm已经开始内部测试,预计2017年下半年开始接受客户产品设计,2018年初投入试产。


另消息称,Intel 7nm已经推迟到2022年。


除了高性能的7nm FinFET,GF日前还宣布了下一代低功耗工艺12nm FD-SOI(12FDX),将继承22FDX,面向移动计算、5G互连、人工智能、自动驾驶等领域,计划2019年量产。

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http://www.cnbeta.com/articles/540039.htm

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